應(yīng)用背散射電子衍射裝置EBSD樣品制備
摘要：背散射電子衍射裝置（EBSD）是掃描電子顯微鏡（SEM）的附件之一，它能提供如：晶間取向研究、相辨別和晶粒尺寸測(cè)量等完整的分析數(shù)據(jù)。在很短的時(shí)間就可以獲得衍射花樣，延長(zhǎng)掃描時(shí)間可以提高衍射花樣的質(zhì)量，而獲得晶粒取向分布圖則需要非常長(zhǎng)的掃描時(shí)間，它需要獲得視場(chǎng)上的每個(gè)像素點(diǎn)的衍射花樣。衍射花樣質(zhì)量的高低，取決于在樣品制備過程中，晶體晶格上的損傷去除的情況和衍射花樣標(biāo)定指數(shù)可信度的影響。
EBSD樣品制備
Written by:
George Vander Voort （Buehler Ltd）
Tech-Notes
Using Microstructural Analysis to Solve Practical Problem
背散射電子衍射裝置（EBSD）是掃描電子顯微鏡（SEM）的附件之一，它能提供如：晶間取向研究、相辨別和晶粒尺寸測(cè)量等完整的分析數(shù)據(jù)。在很短的時(shí)間就可以獲得衍射花樣，延長(zhǎng)掃描時(shí)間可以提高衍射花樣的質(zhì)量，而獲得晶粒取向分布圖則需要非常長(zhǎng)的掃描時(shí)間，它需要獲得視場(chǎng)上的每個(gè)像素點(diǎn)的衍射花樣。衍射花樣質(zhì)量的高低，取決于在樣品制備過程中，晶體晶格上的損傷去除的情況和衍射花樣標(biāo)定指數(shù)可信度的影響。在過去大家一直認(rèn)為只有通過電解拋光和離子束拋光的方法才能獲得沒有損傷層的樣品。但是，現(xiàn)代的機(jī)械拋光的方法，使用拋光機(jī)和正確的拋光耗材也可以得到高質(zhì)量的EBSD樣品，同時(shí)也避免了電解拋光和離子束拋光的局限性，以及電解拋光時(shí)使用電解液的危險(xiǎn)性。 通常如果使用機(jī)械拋光方法,對(duì)于非立方晶系的金屬或合金（如：Sb, Be, Hf, α-Ti, Zn, Zr）只要在光學(xué)顯微鏡的偏振光下評(píng)判其的圖像質(zhì)量，對(duì)于立方晶系和非立方晶系都可以采用彩色腐蝕的方法來確定樣品表面是否還存在殘余損傷層，是否能夠獲得高質(zhì)量的EBSD花樣。這是由于當(dāng)樣品與電子束呈銳角（70 – 74°）時(shí),可以獲得*質(zhì)量的EBSD花樣。

偏振光下圖像的質(zhì)量取決于樣品表面本身的損傷層去除情況和顯微鏡的光學(xué)質(zhì)量。因此，在進(jìn)行EBSD檢測(cè)之前總是使用偏振光來驗(yàn)證樣品制備的情況。對(duì)于立方晶系的金屬，首先使用普通的侵蝕劑確認(rèn)顯微組織。然后重復(fù)zui后一道拋光步驟并使用彩色腐蝕方法來確定是否還有損傷層存在。要想得到EBSD花樣，其樣品必須是拋光后未經(jīng)侵蝕的樣品，這是由于電子束與樣品較大的夾角，而且侵蝕后樣品表面的不平整會(huì)大大降低EBSD花樣的質(zhì)量。一個(gè)制備優(yōu)良的、未經(jīng)侵蝕的樣品，通過EBSD 裝置可以得到一幅晶粒對(duì)比強(qiáng)烈的圖像。試驗(yàn)結(jié)果好壞取決于樣品表面損傷層去除情況。

樣品制備方法的研究：
金屬及合金樣品制備方法已經(jīng)比較成熟，使用這些方法可以得到很好的效果，通常這樣的制備方法只需要在25分鐘之內(nèi)完成樣品制備。純金屬樣品制備時(shí)間比合金往往要長(zhǎng)一點(diǎn)。通常推薦使用自動(dòng)磨拋機(jī)，這樣可以提高樣品制備過程的性和可重復(fù)性。手工樣品制備方法不像自動(dòng)磨拋機(jī)，能夠保證樣品的平整、合金中有些相的保留和損傷層的去除，而且制備過程可重復(fù)性差。為了使得損傷層zui小需要選用適當(dāng)?shù)那懈顧C(jī)和耗材，這是樣品制備成功的前提。切割是個(gè)非常劇烈的過程，所以會(huì)在樣品的切割表面產(chǎn)生很大的損傷層。Tech-Notes Volume5, Issue2  《EBSD樣品制備》
晶體結(jié)構(gòu)對(duì)于損傷層深度有一定的影響；FCC晶體結(jié)構(gòu)的金屬比BCC晶體結(jié)構(gòu)的金屬產(chǎn)生的損傷層要大許多。這是由于FCC的金屬比BCC金屬更容易滑動(dòng)。建議根據(jù)金屬材料的不同使用相應(yīng)的金相的砂輪片， 精密切割機(jī)切割時(shí)產(chǎn)生的損傷層較小，盡量使用超薄的切割片和較小的切割力。切割過程所使用的切割機(jī)、切割片和切割參數(shù)決定的損傷層的深淺，要想獲得沒有損傷的金相樣品，這些參數(shù)的選擇zui為關(guān)鍵。但是也不要過分強(qiáng)調(diào)。在保證樣品卡持器上的所有樣品被磨平的前提下，磨削過程盡量選用顆粒細(xì)小的砂紙，這樣能夠在合理的時(shí)間之內(nèi)，使得切割產(chǎn)生的損傷層被去除。如何獲得沒有損傷層的拋光表面。正確的方法：使用平坦的有機(jī)織物或拋光盤從而使樣品浮凸zui小。要想損傷層小，就要選用材料去除較小的制備表面，如絲綢，尼龍、聚脂纖維和聚氨酯類的拋光表面。所有的樣品制備方法都必須保證樣品表面不能有任何劃痕，因?yàn)閯澓巯旅婢褪菄?yán)重的損傷，在拋光和磨光階段劃痕深度是不一樣的。一個(gè)深的劃痕意味著在其下面有一個(gè)深的變形存在。為了獲得高質(zhì)量的EBSD花樣就必須去除這些劃痕和其下面的損傷層。

在此所討論的制備方法廣泛的適用于各種金屬及其合金，這種機(jī)械拋光的方法只需要三到五步就能制備完成。我們研究所用的EBSD系統(tǒng)是 Oxford 儀器的 HKL 系統(tǒng)和EDAX的TSL系統(tǒng)。SEM的光源使用是鎢燈絲和 LaB6。根據(jù)所使用的EBSD系統(tǒng)不同，樣品的拋光表面與水平方向呈70 和74°夾角,TSL系統(tǒng)使用PQI作為ＥＢＳＤ花樣標(biāo)定指數(shù)質(zhì)量評(píng)判,在本文中所示的圖像是在未侵蝕的樣品上，隨機(jī)選擇的２５個(gè)晶粒，其平均置信度極限９５％。對(duì)于高純金屬樣品使用ＨＫＬ的ＥＢＳＤ系統(tǒng)，花樣的質(zhì)量使用具有平均偏差和標(biāo)準(zhǔn)偏差帶狀對(duì)比值表示。 有幾個(gè)鑄造樣品其晶粒非常大，所以僅僅獲得了幾個(gè)不同的ＥＢＳＤ花樣。Ｓｉ的樣品是單晶樣品，所以其所有的花樣都是一樣的。

試驗(yàn)結(jié)果：
*個(gè)樣品所展示的是冷軋的高純 Al （99.999%） 和 Al – 7.12 % Si c鑄造Al合金樣品。由于 Al的原子序數(shù)低其背散射電子少，所以要想獲得其EBSD花樣相當(dāng)困難，高純的金屬比CP級(jí)純金屬樣品制備更困難，合金相對(duì)而言要簡(jiǎn)單些。但是如果樣品是軋制后未再結(jié)晶的樣品，由于冷軋的樣品導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)的變形，所以其EBSD花樣的獲得非常不易。若是樣品同時(shí)具備上述二性質(zhì)，也就是高純的未再結(jié)晶的樣品，對(duì)試驗(yàn)而言是一種的情況。 上頁表所示：所采用的制備方法，在第五步拋光完成后，zui后未加入一步振動(dòng)拋光，帶狀對(duì)比平均值是 151.1。如下討論根據(jù)我們的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，在標(biāo)準(zhǔn)拋光步驟完成之后，若是加上20分鐘的振動(dòng)拋光，那么其帶狀對(duì)比值至少提高10%。延長(zhǎng)振動(dòng)拋光時(shí)間其提高更大。在研究晶粒分布圖時(shí)，需要可信度zui高的標(biāo)定指數(shù)這是非常關(guān)鍵的，尤其當(dāng)每秒鐘要標(biāo)定成百上千點(diǎn)。必須使用帶狀對(duì)比值z(mì)ui高或者花樣標(biāo)定指數(shù)質(zhì)量樣品。

圖1 所示，冷軋態(tài)的高純Al的顯微組織。下一個(gè)是鑄造Al –7.12% Si 合金樣品。其制備方法：采用五步制備方法，在 3-μm拋光步驟4分鐘時(shí)間，未使用振動(dòng)拋光步驟。在鑄造的顯微組織上有 α-Al枝晶和共晶的 α-Al和Si。α-Al枝晶的EBSD 花樣如圖2所示, 在α-Al枝晶上獲得質(zhì)量?jī)?yōu)良的衍射花樣。圖 1和圖 2 證明使用正確的制備方法，機(jī)械拋光方法*可以得到高質(zhì)量的EBSD花樣。

純Cu非常軟并且塑性非常好.純Cu和各種成分的Cu合金廣泛用于電子領(lǐng)域，幾種成分接近純銅的Cu合金的樣品，在樣品制備過程中想要*去除其損傷層非常困難。切割和磨光時(shí)的顆粒很容易損傷Cu樣品導(dǎo)致?lián)p傷層存在。對(duì)于純銅和黃銅合金樣品其表面劃痕去除非常不容易。如果劃痕不能被去除，劃痕下面就有損傷層存在。在隨后的樣品制備步驟中使用振動(dòng)拋光+二氧化硅拋光液可以去除劃痕和損傷層。過去的制備方法是在拋光過程中使用化學(xué)拋光液，但是現(xiàn)代先進(jìn)的制備方法就不需要添加化學(xué)拋光液，zui終拋光使用振動(dòng)拋光機(jī)。

表 2 所列為：純Cu及其合金的五步制備方法（振動(dòng)拋光作為可選的第六步）。這對(duì)于合金和一些難于去除損傷的樣品特別有用，在第五步后侵蝕樣品，然后重復(fù)第五步拋光步驟。這可以減小損傷層從而得到高質(zhì)量的EBSD花樣。 圖 3 所示，是一個(gè)韌性純CU的 EBSD 晶粒取向分布圖+標(biāo)定質(zhì)量分布圖組合圖片（Cu 中的氧含量在400 PPM ）。它顯示了晶粒結(jié)構(gòu)和退火孿晶。圖 3 顯示了孿晶被消除后的情況。注意只有幾個(gè)孿晶被保留下來，晶界夾角要比孿晶大點(diǎn)。這個(gè)樣品沒有侵蝕過。圖 4 是樣品被侵蝕后的對(duì)比。由于不能顯示所以的晶粒邊界和孿晶的邊界，所以在光學(xué)顯微鏡下要測(cè)量孿晶的晶粒尺寸幾乎是不可能的。 除非采用彩色腐蝕的方法。Tech-Notes Volume5, Issue2  《EBSD樣品制備》

圖 1: 冷軋99.999% Al; 上圖: Keller’s侵蝕劑, Nomarski DIC照明; 下圖: Barker’s 侵蝕劑, 20 V DC, 2分鐘, 偏振光+靈敏色片。
圖 2: 上圖: Al – 7.12% Si鑄造Al合金EBSD 花樣；PQI: 87±4.2; 下圖: 亞共晶Al-7.12%Si鑄造Al合金在光學(xué)顯微鏡下組織， 0.5% HF 水溶液。
圖 3: 所示韌性純CU的 EBSD 晶粒取向分布圖+標(biāo)定質(zhì)量分布圖組合圖片。上圖顯示了晶粒結(jié)構(gòu)和退火孿晶，下圖顯示了孿晶被消除后的情況。
圖 5 所示，精鍛的Cu – 30% Zn彈殼黃銅的顯微組織照片和EBSD花樣照片,冷軋厚度減少50% 在704 °C退火，保溫 30 分鐘，在α-Cu基體上可見粗大的孿晶。對(duì)于這樣的合金想要得到EBSD花樣質(zhì)量高的樣品非常困難，因?yàn)闃悠繁砻娴膭澓酆蛽p傷層非常難于去除。表 2 所示的方法，制備這樣的樣品，在3-μm 和1-μm 制備步驟上分別是4分鐘和 3 分鐘,zui后采用 30 分鐘的振動(dòng)拋光。

EBSD 花樣也可以用于雙相合金的研究，只要合金的兩個(gè)相在拋光后能夠保持足夠的平坦。如果浮凸存在，那么低于樣品表面的那個(gè)相將得不到 EBSD花樣。例如： Cu – 39.7% Zn – 0.8% Sn是由 α−β相組成。如果侵蝕后進(jìn)行EBSD檢測(cè)，會(huì)發(fā)現(xiàn)只有α相的ＥＢＳＤ花樣而沒有β相的花樣，這是因?yàn)?beta;相容易侵蝕從而使得β相所在的位置出現(xiàn)凹陷。如果重新拋光這個(gè)樣品，不要進(jìn)行侵蝕就去ＥＢＳＤ檢測(cè)，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)α 和 β相的ＥＢＳＤ花樣都非常好。圖6所示，*黃銅樣品按照這種制備方法獲得的效果圖。

面掃描功能是EBSD技術(shù)的應(yīng)用之一。圖 7所示：晶粒取向的面掃描分布圖和標(biāo)定質(zhì)量分布圖的組合圖，晶粒取向的面掃描分布圖使用的是反極圖，晶粒取向不同的晶粒被染色成不同的顏色。
可能Ｚｒ和其合金的EBSD的樣品制備是zui困難的。實(shí)踐證明表 3 所列出的方法用于Ｚｒ和其合金的EBSD的樣品制備是非常可靠的方法。在使用 SiC砂紙前，在其表面涂抹上一層固體石蠟，zui后的拋光步驟中添加 5 ： 1 二氧化硅+雙氧水 （30% conc.）zui后采用振動(dòng)拋光（30 minutes）。Tech-Notes Volume5, Issue2  《EBSD樣品制備》

圖 8 所示 高純 Zr （99.99%）, 退火態(tài)。*幅圖片是包含所以晶粒Euler角和帶狀對(duì)比圖的顯微組織結(jié)構(gòu)圖；第二幅圖片是在反極圖加上晶界圖（晶界使用黑點(diǎn)填充）。在這個(gè)區(qū)域顯示的帶狀對(duì)比平均值為92.34 。

我們使用了6個(gè)樣品進(jìn)行對(duì)比，用于評(píng)價(jià)振動(dòng)拋光效果。每個(gè)樣品采用標(biāo)準(zhǔn)的拋光方法，隨后采用20 minute 振動(dòng)拋光。如果樣品制備并不像以往那樣好的話，此時(shí)采用振動(dòng)拋光會(huì)使拋光效果有很大提高。振動(dòng)拋光時(shí)間越長(zhǎng)其效果越好。 表 4 匯總了采用振動(dòng)拋光后帶狀對(duì)比值提高情況，前五個(gè)元素的平均提高 11.1%; 而Pb在使用振動(dòng)拋光前，沒有獲得EBSD花樣，采用振動(dòng)拋光后，得到了EBSD花樣。

表 5 匯總一些難以制備的金屬及其合金的 PQI 結(jié)果。結(jié)果顯示：如果采用正確合理的機(jī)械制備的方法，*可以得到?jīng)]有損傷層的EBSD樣品，而其標(biāo)定指數(shù)*可信。Ni基耐熱合金 （Carpenter’s Custom Age 625 + 細(xì)晶粒718） 包含一些亞微觀的強(qiáng)化相（后者也包含了大量的δ相），這樣導(dǎo)致 EBSD 分析更加困難。純Ta樣品是個(gè)P/M 樣品，不是非常密實(shí)。

圖 6: *黃銅的EBSD花樣照片和顯微組織照片: 上圖和中圖：α和β相的EBSD花樣，其分別為：PQI=118.5 8.7 和150.4 20.7; 下圖: 侵蝕后顯微組織照片，侵蝕劑： 100 mL 水+ 3 g過硫酸銨+ 1mL 氫氧化銨 （ -Cu連續(xù)分布相）

圖 4: 所示，韌性純Cu精鍛退火后，顯微組織;上圖: 侵蝕劑 1：1氫氧化銨+雙氧水 （3% conc）;下圖: Beraha’s PbS 彩色腐蝕，偏振光+靈敏色片。
圖 5: 彈殼黃銅的EBSD花樣照片和顯微組織照片: 上圖: Cu – 30% Zn合金 EBSD花樣 PQI: 221± 8.6; 下圖:Cu – 30% Zn 合金精鍛退火后，顯微組織，侵蝕劑 1：1氫氧化銨+雙氧水。Tech-Notes Volume5, Issue2  《EBSD樣品制備》

圖 7: *黃銅樣品的各種 EBSD分布圖 A） 晶粒取向分布圖；B）標(biāo)定質(zhì)量分布圖； C） 晶粒取向分布圖+標(biāo)定質(zhì)量分布圖； D） 反極圖。
使用上述或類似的五步制備方法（Ti使用四步制備方法），采用第二種評(píng)判方法，高純Cu （純度 >99.95%）的帶狀對(duì)比值為18。 這種制備方法可以廣泛用于Mg （原子序數(shù)12） 到 Bi （原子序數(shù) 83） 晶體結(jié)構(gòu): BCC（6）,FCC （4）, HCP（5）,立方系金剛石 （1） 和菱形/三角晶系（2）。表 6 所列樣品是采用標(biāo)準(zhǔn)的制備方法制備樣品后的帶狀對(duì)比值，其中六種樣品的制備，zui后加上一步振動(dòng)拋光后的結(jié)果列于表 4。即便使用 240和320 grit的粗砂紙，SiC 砂紙顆粒還是容易嵌入到純 Sb, V 和純 Zr 樣品上。 因此在使用砂紙磨光時(shí), 在砂紙上要涂抹上固體石蠟。在制備 Cr, Nb, Ti, W 和Zr樣品時(shí)，zui后拋光要使用化學(xué)拋光劑雙氧水（30% conc.）。

通常zui后一步使用MasterMet® 二氧化硅拋光液, 除F e （ M a s t e r P r e p ® 氧化鋁拋光液）和 M g （使用無水 MasterPolish®拋光液）。制備純Mg （99.999%）時(shí)，使用油基的金剛石拋光液（9, 3和 1-μm）。 對(duì)于純 Bi 和純 Pb 樣品，采用四步磨光步驟：使用240-, 320-, 400- 和 600-grit 涂抹固體石蠟后的SiC砂紙，并在樣品上施加較小的力， 隨后采用三步拋光 5-, 1- 和 0.3-μm 氧化鋁拋光液，zui終拋光使用MasterMet® 二氧化硅拋光液。 所有拋光步驟都是用人造的MicroCloth® 拋光布。雖然 在Bi樣品上的得到很好的 EBSD 花樣, 而在純 Pb 樣品上沒有得到ＥＢＳＤ花樣，但是隨后采用MasterMet®二氧化硅拋光液＋ MicroCloth® 拋光布，在振動(dòng)拋光機(jī)上拋光一個(gè)小時(shí)后，在純Pb樣品上得到了不錯(cuò)的ＥＢＳＤ花樣。

對(duì)于Zr樣品的制備，通常是在機(jī)械拋光之后，采用２分鐘的化學(xué)拋光。 為了對(duì)比，我們把第二個(gè)樣品進(jìn)行化學(xué)拋光后進(jìn)行ＥＢＳＤ觀察，出人意料的是化學(xué)拋光后的樣品上沒有得到ＥＢＳＤ花樣。 化學(xué)拋光后，雖然在偏振光下的效果明顯改善，但是由于晶粒倒角（嚴(yán)重浮凸），所以沒有花樣。有實(shí)驗(yàn)顯示在化學(xué)拋光時(shí)，在樣品上施加較大的壓力可以減輕浮凸現(xiàn)象，可以得到較好的ＥＢＳＤ晶粒分布圖。 純 Zr 試驗(yàn)結(jié)果列于表 6，早期的樣品制備方法不如表３所列的現(xiàn)在采用的制備方法有效。對(duì)于純　Zr樣品，使用表３的制備方法，其帶狀對(duì)比值平均值 ９２.３４，每個(gè)像素產(chǎn)生大約９０個(gè)可標(biāo)定的衍射花樣。表６所列的帶狀對(duì)比值平均值７７.３，每個(gè)像素產(chǎn)生大約２０個(gè)可標(biāo)定的衍射花樣。

圖 8:　兩個(gè)高純Zr （99.99%）晶粒分布圖;上圖: 所有Euler角+ 帶狀對(duì)比值分布圖; 下圖 : 反極圖＋晶界（完整晶粒）。Tech-Notes Volume5, Issue2  《EBSD樣品制備》Tech-Notes

參考文獻(xiàn)：
[1]. G. F. Vander Voort, Metallography: Principles and Practice, ASM International, Materials Park, OH,1999; originally published by McGraw-Hill Book Co.,NY, 1984.
[2]. G. F. Vander Voort, “Color Metallography,” Vol. 9ASM Handbook, Metallography andMicrostructures, G. F. Vander Voort, ed., ASMInternational, Materials Park, OH, 2004, pp.493-512.
[3]. G. F. Vander Voort, “The SEM as a MetallographicTool,” Applied Metallography, G. F. Vander Voort,ed., Van Nostrand Reinhold Publishing Co., Inc., NY,1986, pp. 139-170.
[4]. G. F. Vander Voort, et al., Buehler’s Guide toMaterials Preparation, Buehler Ltd, Lake Bluff, IL,2004, 135 pgs.